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NTE2967

更新时间： 2024-09-09 22:54:19
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NTE 开关
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2页 24K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2967 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.17配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE2967 数据手册

 浏览型号NTE2967的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2967  
MOSFET  
N–Channel, Enhancement Mode  
High Speed Switch  
Applications:  
D Motor Control  
D Lamp Control  
D Solenoid Control  
D DC–DC Converter  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Drain–Source Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Gate–Source Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V  
Drain Current, ID  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A  
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100µH), IDA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Source Current, IS  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A  
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W  
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Channel–to–Case, Rth(ch–c) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83°C/W  
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 0V, I = 1mA  
Min Typ Max Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
Gate–Source Leakage  
V
V
DS  
V
GS  
V
DS  
V
DS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
100  
–
–
–
–
V
µA  
mA  
V
(BR)DSS  
D
I
= ±20V, V = 0V  
±0.1  
0.1  
4.0  
20  
GSS  
DS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Threshold Voltage  
I
= 100V, V = 0  
–
–
DSS  
GS  
V
GS(th)  
= 10V, I = 1mA  
2.0  
–
3.0  
14  
D
Static Drain–Source ON Resistance  
Drain–Source On–State Voltage  
Forward Transfer Admittance  
R
DS(on)  
= 10V, I = 35A  
mΩ  
V
D
V
DS(on)  
= 10V, I = 35A  
–
0.49 0.70  
53  
D
|y |  
fs  
= 10V, I = 35A  
–
–
S
D
12

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