NTE2966

更新时间： 2024-09-09 22:54:19

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MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2966

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Applications:

D Motor Control

D Lamp Control

D Solenoid Control

D DC–DC Converter

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage (V_GS= 0V), V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Gate–Source Voltage (V_DS= 0V), V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A

Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100µH), I_DA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A

Source Current, I_S

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A

Maximum Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Channel Temperature Range, T_ch. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Channel–to–Case, R_th(ch–c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83°C/W

Electrical Characteristics: (T_ch= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 0V, I = 1mA

Min Typ Max Unit

Drain–Source Breakdown Voltage

Gate–Source Leakage

–

µA

(BR)DSS

= ±20V, V = 0V

±0.1

0.1

4.0

7.5

GSS

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate Threshold Voltage

= 60V, V = 0

–

DSS

GS(th)

= 10V, I = 1mA

2.0

–

3.0

5.7

Static Drain–Source ON Resistance

Drain–Source On–State Voltage

Forward Transfer Admittance

DS(on)

= 10V, I = 35A

mΩ

DS(on)

= 10V, I = 35A

–

0.200 0.263

|y |

= 10V, I = 35A

–

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