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NTE296 PDF预览

NTE296

更新时间： 2024-09-09 22:54:19
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NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管局域网
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2页 25K
描述
Silicon PNP Transistor General Purpose Amplifier

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NTE296 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.88
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-202
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：10 W
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：45 MHzBase Number Matches：1

NTE296 数据手册

 浏览型号NTE296的Datasheet PDF文件第2页 
NTE296  
Silicon PNP Transistor  
General Purpose Amplifier  
Description:  
The NTE296 is a silicon PNP transistor in a TO202 type case designed for general purpose applica-  
tions requiring high breakdown voltages, low saturation voltages and low capacitance.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16mW/°C  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 1mA, I = 0, Note 1  
300  
300  
5
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
V
V
I = 100µA, I = 0  
C E  
I = 10µA, I = 0  
–
V
E
C
I
V
= 200V, I = 0  
–
0.2  
0.1  
µA  
µA  
CBO  
CB  
BE  
E
Emitter Cutoff Current  
I
V
= 3V, I = 0  
–
EBO  
C
12

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