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NTE2936

更新时间： 2024-09-09 22:49:51

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3页	27K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2936 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	1024 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.6 A	最大漏极电流 (ID)：	9.6 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	96 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

NTE2936 数据手册

NTE2936

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Avalanche Rugged Technology

D Rugged Gate Oxide Technology

D Lower Input Capacitance

D Improved Gate Charge

D Extended Safe Operating Area

D Lower R_DS(on): 0.308Ω Typ

D Lower Leakage Current: 10µA (Max) @ V_DS= 500V

Absolute Maximum Ratings:

Drain–to–Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.6A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.77W/°C

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1024mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.6A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.6mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. L = 20mH, I_AS= 9.6A, V_DD= 50V, R_G= 27Ω, Starting T_J= +25°C.

Note 3. I_SD≤ 14A, di/dt ≤ 230A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, Starting T_J= +25°C.

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