NTE2379

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2379 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.27	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2379 数据手册

NTE2379

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Repetitive Avalanche Rated

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous (V_GS= 10V)

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Gate Current (Pulsed), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V/ns

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance:

Maximum Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R_thCS. . . . . . 0.5°C/W

Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W

Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= 50V, starting T_J= +25°C, l = 27mH, R_G= 25Ω, I_AS= 6.2A.

Note 3. I_SD≤ 6.2A, di/dt ≤ 80A/µA, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ +150°C.

12 3

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NTE2379 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP7N60P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFA7N60P3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2777	TOSHIBA	功能相似	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS CHOPPER REGULATOR, DC-

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NTE2385	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2386	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch
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