NTE2941

更新时间： 2024-09-09 22:49:51

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2941 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	48 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2941 数据手册

NTE2941

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Low Static Drain–Source ON Resistance

D Improved Inductive Ruggedness

D Fast Switching Times

D Low Input Capacitance

D Extended Safe Operating Area

D TO220 Type Isolated Package

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage (Note 1), V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 1MΩ, Note 1), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19.6A

Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A

Gate Current (Pulsed), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48mJ

Avalanche Current, I_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.52W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance:

Maximum Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.92K/W

Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R_thCS. . . . . . . 0.5K/W

Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5K/W

Note 1. T_J= +25° to +175°C.

Note 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 3. L = 50µH, V_DD= 25V, R_G= 25Ω, Starting T_J= +25°C.

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