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NTE2933

更新时间： 2024-09-09 22:49:51

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NTE		开关
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3页	27K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2933 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.17	雪崩能效等级（Eas）：	549 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2933 数据手册

NTE2933

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Avalanche Rugged Technology

D Rugged Gate Oxide Technology

D Lower Input Capacitance

D Improved Gate Charge

D Extended Safe Operating Area

D Lower R_DS(on): 0.437Ω Typ

D Lower Leakage Current: 10µA (Max) @ V_DS= 400V

Absolute Maximum Ratings:

Drain–to–Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.68W/°C

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 549mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.5mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.46°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. L = 15mH, I_AS= 8A, V_DD= 50V, R_G= 27Ω, Starting T_J= +25°C.

Note 3. I_SD≤ 10A, di/dt ≤ 170A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, Starting T_J= +25°C.

12 3

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NTE2933 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SFF340/66	SSDI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF340Z	SSDI	功能相似	10 AMP 400Volts 0.55OHM N-Channel POWER MOSFET

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