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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 6.5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK2777(2-10S2B) | TOSHIBA | TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, |
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| 2SK2777(TE24L) | TOSHIBA | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FL |
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| 2SK2777(TE24L,Q) | TOSHIBA | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220SM |
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| 2SK2777(TO-220FL) | TOSHIBA | TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, F |
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| 2SK2777_06 | TOSHIBA | Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
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| 2SK2777_09 | TOSHIBA | Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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