5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 6.5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFP7N60P3 | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXFA7N60P3 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NTE2379 | NTE |
功能相似 |
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2777(2-10S2B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, |
|
| 2SK2777(TE24L) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FL |
|
| 2SK2777(TE24L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220SM |
|
| 2SK2777(TO-220FL) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, F |
|
| 2SK2777_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
|
| 2SK2777_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
|
| 2SK2778 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
| 2SK2779 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
| 2SK278 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK278 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 400V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, 2 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
