5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTE2953
NTE2953 PDF预览

NTE2953

更新时间： 2024-09-09 22:49:51
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE2953 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.14外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE2953 数据手册

 浏览型号NTE2953的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2953  
MOSFET  
N–Channel, Enhancement Mode  
High Speed Switch  
Applications:  
D Motor Control  
D Lamp Control  
D Solenoid Control  
D DC–DC Converter  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Drain–Source Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Gate–Source Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V  
Drain Current, ID  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A  
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100µH), IDA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Source Current, IS  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A  
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W  
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Channel–to–Case, Rth(ch–c) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.57°C/W  
Isolation Voltage, VISO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V  
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 0V, I = 1mA  
Min Typ Max Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
Gate–Source Leakage  
V
V
DS  
V
GS  
V
DS  
V
DS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
60  
–
–
–
–
V
µA  
mA  
V
(BR)DSS  
D
I
= ±20V, V = 0V  
±0.1  
0.1  
4.0  
7.5  
GSS  
DS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Threshold Voltage  
I
= 60V, V = 0  
–
–
DSS  
GS  
V
GS(th)  
= 10V, I = 1mA  
2.0  
–
3.0  
5.7  
D
Static Drain–Source ON Resistance  
Drain–Source On–State Voltage  
Forward Transfer Admittance  
R
DS(on)  
= 10V, I = 35A  
mΩ  
V
D
V
DS(on)  
= 10V, I = 35A  
–
0.200 0.263  
70  
D
|y |  
fs  
= 10V, I = 35A  
50  
–
S
D
12

中文翻译

下载PDF

与NTE2953相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE2954 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2955 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2956 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2957 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2958 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2959 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE296 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor General Purpose Amplifier
NTE2960 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2966 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2967 NTE

获取价格

 		MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

与NTE2953相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证