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NTE2716

更新时间： 2024-11-01 22:30:15

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NTE		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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5页	37K
描述
Integrated Circuit NMOS, 16K UV Erasable PROM

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NTE2716 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.61
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	350 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDIP-T24	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	25 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NTE2716 数据手册

NTE2716

Integrated Circuit

NMOS, 16K UV Erasable PROM

Description:

The NTE2716 is a 16,384–bit (2048 x 8–bit) Erasable and Electrically Reprogrammable PROM in a

24–Lead DIP type package designed for system debug usage and similar applications requiring non-

volatile memory that could be reprogrammed periodically. The transparent lid on the package allows

the memory content to be erased with ultraviolet light.

The NTE2716 operates from a single power supply and has a static power down mode.

Features:

D Single 5V Power Supply

D Automatic Power–Down Mode (Standby)

D Organized as 2048 Bytes of 8Bits

D TTL Compatible During Read and Program

D Access Time: 350ns

D Output Enable Active Level is User Selectable

Absolute Maximum Ratings: (Note 1)

All Input or Output Voltages (with respect to V_SS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6 to –0.3V

V_PPSupply Voltage (with respect to V_SS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +28 to –0.3V

Temperature Under Bias (V_PP= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –10° to +80°C

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C

Storage Temperature Range. T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +125°C

Note 1. Permanent device may occur if “Absolute Maximum Ratings” are exceeded. Functional op-

eration should be restricted to “Recommended Operating Conditions”. Exposure to higher

than recommended voltages for extended periods of time could affect device reliability.

Note 2. This device contains circuitry to protect the inputs against damage due to high static voltages

or electric fields; however, it is advised that normal precautions be taken to avoid application

of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance circuit.

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