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NTE281 PDF预览

NTE281

更新时间： 2024-11-02 04:36:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Trasistors Audio Power Amplifier

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NTE281 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：100 W
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：5 MHzBase Number Matches：1

NTE281 数据手册

 浏览型号NTE281的Datasheet PDF文件第2页 
NTE280 (NPN) & NTE281 (PNP)  
Silicon Complementary Trasistors  
Audio Power Amplifier  
Description:  
The NTE280 (NPN) and NTE281 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3 type package  
designed for use in high power, high fidelity audio frequency amplifier applications.  
Features:  
D High Power Dissipation: PC = 100W  
D Collector–Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 140V  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A  
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –12A  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
140  
5
Typ Max Unit  
V
I = 100mA, I = 0  
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 10mA, I = 0  
E C  
(BR)EBO  
I
V
= 60V, I = 0  
–
–
100  
100  
140  
3.0  
2.5  
–
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
I
V
V
= 5V, I = 0  
–
–
EBO  
C
DC Current Gain  
h
FE  
= 5V, I = 2A  
40  
–
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter ON Voltage  
Current–Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
CE(sat)  
I = 7A, I = 700mA  
–
V
V
C
B
V
BE(on)  
V
= 5V, I = 7A  
–
–
CE  
CE  
CE  
C
f
T
V
V
= 5V, I = 2A  
–
5
MHz  
pF  
C
C
cb  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
–
220  
–
E
Note 1. NTE280MP is a matched pair of NTE280 with their DC Current Gain (hFE) matched to within  
10% of each other.  
Note 2. NTE281MCP is a matched complementary pair containing 1 each of NTE280 (NPN) and  
NTE281 (PNP).  
12

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与NTE281相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE281MCP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 150V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-3
NTE281MP NTE

获取价格

 		Transistor,
NTE282 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor Final RF Power Amp, Switch
NTE283 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor Horizontal Output, Switch
NTE284 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier Output
NTE284MP NTE

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 180V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
NTE285 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier Output
NTE285MCP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 180V V(BR)CEO | 16A I(C) | TO-3
NTE285MP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 180V V(BR)CEO | 16A I(C) | TO-3
NTE287 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Voltage, General Purpose Amplifier

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