Datasheet > NTE29

NTE29

更新时间： 2024-11-01 23:54:55

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE29 数据手册

NTE29 (NPN) & NTE30 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Power, High Current Switch

Description:

The NTE29 (NPN) and NTE30 (PNP) are compelmentary power transistors in a TO3 type case designed

for use in high power amplifier and switching circuit applications.

Features:

D High Current Capability: I_C= 50A (Continuous)

D DC Current Gain: h_FE= 15 to 60 @ I_C= 25A

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: V_CE(sat)= 1V Max @ I_C= 25A

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.715W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.584°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 0.2A, I_B= 0, Note 1

–

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CEX

V_CE= 40V, I_B= 0

V_CE= 80V, V_EB(off)= 1.5V

–

V_CE= 80V, V_EB(off)= 1.5V,

–

T_C= +150°C

I_CBO

I_EBO

V_CB= 80V, I_E= 0

V_BE= 5V, I_C= 0

–

Emitter Cutoff Current

中文翻译

下载PDF

与NTE29相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE290	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE290(TO92)	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
NTE290{TO92}	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
NTE290{U83}	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
NTE2900	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2902	NTE	获取价格	N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
NTE2904	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2905	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2907	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2908	NTE	获取价格	Transistor,