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NTE2908

更新时间： 2024-11-02 15:46:55

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NTE		/
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3页	81K
描述
Transistor,

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NTE2908 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.29	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NTE2908 数据手册

NTE2908

MOSFET

N−Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

TO−220 Type Package

Description:

The NTE2908 is a Power MOSFET in a TO−220 type package that utilizes advanced processing

techniques to achieve extremely low on−resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable

device for use in a wide variety of applications.

Features:

D Ultra Low ON−Resistance

D Dynamic dv/dt Rating

D +175C Operating Temperature

D Fast Switching

D Fully Avalanche Rated

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202A

T_C= +100C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143A

Pulsed Drain Current (Note 2), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 808A

Power Dissipation (T_C= +25C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333W

Derate Linearly Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2W/C

Gate−to−Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Single Pulse Avalanche Energy (Note 3), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 620mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +175C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +175C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300C

Mounting Torque (6−32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.45C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62C/W

Typical Thermal Resistance, Case−to−Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . . 0.5C/W

Note 1. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package

limitation current is 75A.

Note 2. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 3. Starting T_J= +25C, L = 85H, R_G= 25, I_AS= 121A

Note 4. I_SD 121A, di/dt  130A/s, V_DD V_(BR)DSS, T_J +175C

Rev. 6−15

12 3

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