NTE2900

更新时间： 2024-11-01 22:49:51

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	32K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2900 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

NTE2900 数据手册

NTE2900

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Repetitive Avalanche Rated

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.5A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C

Gate–to–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.8V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . . 0.5°C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= 25V, starting T_J= +25°C, L = 4.5mH, R_G= 25Ω, I_AS= 14A

Note 3. I_SD≤ 14A, di/dt ≤ 150A/µs, V_DD≤ 250V, T_J≤ +175°C

Note 4. Pules Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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