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NTE2904

更新时间： 2024-11-02 15:46:55

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描述
Transistor,

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NTE2904 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NTE2904 数据手册

NTE2904

MOSFET

N−Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

TO−220 Type Package

Features:

D Advanced Process Technology

D Ultra Low On−Resistance

D Dynamic dv/dt Rating

D +175ꢀ C Operating Temperature

D Fast Switching

D Fully Avalanche Rated

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25ꢀ C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64A

T_C= +100ꢀ C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210A

Power Dissipation (T_C= +25ꢀ C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7130W

Derate Linearly Above 25ꢀ C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83W/ꢀ C

Gate−to−Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ꢁ20V

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55ꢀ to +175ꢀ C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55ꢀ to +175ꢀ C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300ꢀ C

Mounting Torque (6−32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.15ꢀ C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62ꢀ C/W

Typical Thermal Resistance, Case−to−Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . . 0.5ꢀ C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. Starting T_J= +25ꢀ C, L = 0.37mH, R_G= 25W, I_AS= 32A

Note 3. I_SDꢂ 32A, di/dt ꢂ 220A/ms, V_DDꢂ V_(BR)DSS, T_Jꢂ +175ꢀ C

Rev. 7−14

12 3

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