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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE287
NTE287 PDF预览

NTE287

更新时间： 2024-11-01 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage, General Purpose Amplifier

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NTE287 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：2.13Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

NTE287 数据手册

 浏览型号NTE287的Datasheet PDF文件第2页 
NTE287 (NPN) & NTE288 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Voltage, General Purpose Amplifier  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Base Voltage, VCBE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Emitter–Base Voltage, VEBO  
NTE287 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
NTE288 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Total Device Dissipation @ TA = +25°C, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW  
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C  
Total Device Dissipation @ TC = +25°C, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W  
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/mW  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/mW  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 1  
300  
300  
–
–
–
–
V
V
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
NTE287  
V(BR)EBO  
IE = 100µA, IC = 0  
6
5
–
–
–
–
V
V
NTE288  
Collector Cutoff Current  
NTE287  
ICBO  
VCB = 200V, IE = 0  
–
–
–
–
0.1  
µA  
NTE288  
0.25 µA  
Emitter Cutoff Current  
NTE287  
IEBO  
VEB = 6V, IC = 0  
VEB = 3V, IC = 0  
–
–
–
–
0.1  
0.1  
µA  
µA  
NTE288  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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