NTE288H

更新时间： 2024-11-02 13:12:03

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
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NTE288H 数据手册

NTE287 (NPN) & NTE288 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage, General Purpose Amplifier

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Base Voltage, V_CBE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO

NTE287 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

NTE288 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation @ T_A= +25°C, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C

Total Device Dissipation @ T_C= +25°C, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/mW

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/mW

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, I_B= 0, Note 1

300

–

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_E= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage

NTE287

V_(BR)EBO

I_E= 100µA, I_C= 0

–

NTE288

Collector Cutoff Current

NTE287

I_CBO

V_CB= 200V, I_E= 0

–

0.1

µA

NTE288

0.25 µA

Emitter Cutoff Current

NTE287

I_EBO

V_EB= 6V, I_C= 0

V_EB= 3V, I_C= 0

–

0.1

µA

NTE288

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE289	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE289(U83)	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
NTE289{U83}	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NTE289A	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier
NTE289AMP	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-92,
NTE289MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92
NTE29	ETC	获取价格
NTE290	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE290(TO92)	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
NTE290{TO92}	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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