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NTE282 PDF预览

NTE282

更新时间： 2024-11-01 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor Final RF Power Amp, Switch

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NTE282 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-39包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：27
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

NTE282 数据手册

 浏览型号NTE282的Datasheet PDF文件第2页 
NTE282  
Silicon NPN Transistor  
Final RF Power Amp, Switch  
Applications:  
D HF Power Amplifiers, Switchings  
D 27MHz, 4W, AM, Citizens Band Transmitter Output Stage  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
= 50V, I = 0  
–
–
1
2
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter Cutoff curent  
I
= 6V, I = 0  
–
EBO  
EB  
C
Collector–Base Voltage  
V
CBO  
I = 100µA  
100  
60  
–
–
–
C
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
V
I = 10mA  
–
–
V
CEO(sus)  
C
V
I = 2A, I = 400mA  
0.3  
1.0  
100  
60  
45  
35  
140  
6
0.8  
1.4  
264  
–
V
CE(sat)  
C
B
V
BE(sat)  
I = 2A, I = 400mA  
–
V
C
B
h
h
V
= 2V, I = 100mA  
27  
–
FE1  
CE  
CE  
CB  
CB  
CB  
IN  
C
V
V
V
V
P
= 2V, I = 2A  
C
FE2  
Output Capacitance  
Collector–Base Time Constant  
Gain Bandwidth Product  
Power Output  
C
ob  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
–
60  
70  
–
pF  
ps  
E
C ꢀ r  
= 10V, I = –15mA, f = 31.9MHz  
–
c
bb’  
E
f
T
= 10V, I = –100mA  
70  
4
MHz  
W
E
P
O
= 400mW, V = 12V  
–
CC  
Power Gain  
P ꢀ G  
f = 27MHz  
10  
–
–
dB  
12

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