NTE284

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

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NTE		晶体音频放大器晶体管功率双极晶体管局域网
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2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier Output

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NTE284 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	150 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6 MHz
Base Number Matches：	1

NTE284 数据手册

NTE284 (NPN) & NTE285 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Amplifier Output

Description:

The NTE284 (NPN) and NTE285 (PNP) are silicon complementary power transistors in a TO3 type

package designed for use in power amplifier applications.

Applications:

D Recommended for 100W High–Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Junction Temperature, T_j. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Condition

V_CB= 90V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

100 µA

I_EBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 0.1A, I_B= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 10mA, I_C= 0

180

–

DC Current Gain

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 2A

–

140

3.0

2.5

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 10A, I_B= 1A

Base to Emitter Voltage

V_BE

f_T

V_CE= 5V, I_C= 10A

V_CE= 5V, I_C= 2A

–

Current Gain Bandwidth Product

–

MH_Z

Output Capacitance

NTE284

C_ob

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MH_Z

–

300

450

–

NTE285

Note 1. NTE284MP is a matched pair of NTE284 with their DC Current Gain (h_FE) matched to within

10% of each other.

Note 2. NTE285MP is a matched pair of NTE285 with their DC Current Gain (h_FE) matched to within

10% of each other.

Note 3. NTE285MCP is a matched complementary pair containing 1 each of NTE284 (NPN) and

NTE285 (PNP).

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE284MP	NTE	获取价格	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 180V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
NTE285	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier Output
NTE285MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 180V V(BR)CEO \| 16A I(C) \| TO-3
NTE285MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 180V V(BR)CEO \| 16A I(C) \| TO-3
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NTE288H	NTE	获取价格	暂无描述
NTE289	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE289(U83)	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
NTE289{U83}	NTE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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