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NTE283 PDF预览

NTE283

更新时间： 2024-11-01 22:40:39
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NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor Horizontal Output, Switch

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NTE283 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.66Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：325 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：100 W
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

NTE283 数据手册

 浏览型号NTE283的Datasheet PDF文件第2页 
NTE283  
Silicon NPN Transistor  
Horizontal Output, Switch  
Description:  
The NTE283 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high–voltage, high–  
speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. Typical applications include  
switching regulators, PWM inverters, solenoid and relay drivers.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325V  
Collector–Emitter Voltage (VBE = 0), VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Peak (tp ≤ 10ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Total Power Dissipation (TC ≤ +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
= 800V, V = 0  
–
–
–
–
1
1
–
–
mA  
mA  
V
CES  
EBO  
CEV  
BE  
Emitter Cutoff Current  
I
= 8V, I = 0  
–
EB  
C
Collector–Base Voltage  
V
CBO  
I = 1mA, I = 0  
800  
325  
C
E
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
V
I = 100mA, I = 0, Note 1  
V
CEO(su  
s)  
C
B
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
V
I = 8A, I = 2.5A, Note 1  
–
–
–
–
3.3  
2.2  
–
V
V
CE(sat)  
C
B
V
I = 8A, I = 2.5A, Note 1  
C B  
BE(sat)  
h
FE  
V
= 10V, I = 2.5A, Note 1  
15  
–
–
CE  
CE  
CE  
C
Current Gain–Bandwidth Product  
Second Breakdown Collector Current  
f
T
V
V
= 10V, I = 500mA  
10  
–
–
MHz  
A
C
I
= 25V, Note 2  
4
–
S/b  
Note 1. Pulse test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.  
Note 2. Pulsed: 1sec, non–repetitive pulse.  
12

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