生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.69 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | LG-MAX |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | 长度: | 37.34 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE27C512-12D | NTE |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
NTE28 | NTE |
获取价格 |
Germanium PNP Transistor High Current, High Gain Amplifier | |
NTE280 | NTE |
获取价格 |
Silicon Complementary Trasistors Audio Power Amplifier | |
NTE2800 | NTE |
获取价格 |
Memory IC, | |
NTE280MP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 150V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-3 | |
NTE281 | NTE |
获取价格 |
Silicon Complementary Trasistors Audio Power Amplifier | |
NTE281MCP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 150V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-3 | |
NTE281MP | NTE |
获取价格 |
Transistor, | |
NTE282 | NTE |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor Final RF Power Amp, Switch | |
NTE283 | NTE |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor Horizontal Output, Switch |