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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NTE275
NTE275 PDF预览

NTE275

更新时间： 2024-11-02 04:00:15
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier, Switch

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NTE275 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.67
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-66JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：50 W最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE275 数据手册

 浏览型号NTE275的Datasheet PDF文件第2页 
NTE274 (NPN) & NTE275 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington Power Amplifier, Switch  
Description:  
The NTE274 (NPN) and NTE275 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO66  
type case designed for general purpose amplifier, low–frequency switching and hammer driver  
applications.  
Features:  
D High DC Current Gain: hFE = 3000 Typ @ IC = 2A  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 2A  
D Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 80V Min  
D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mA  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.286W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 50mA, I = 0  
80  
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 40V, I = 0  
0.5 mA  
0.5 mA  
5.0 mA  
2.0 mA  
CEO  
CE  
CE  
CB  
BE  
B
I
V
V
V
= 80V, V  
= 1.5V  
–
CER  
EB(off)  
EB(off)  
= 80V, V  
= 1.5V, T = +150°C  
–
A
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
12

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NTE275 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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