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NTE27C1001-12D

更新时间： 2024-11-02 15:46:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	78K
描述
UVPROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

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NTE27C1001-12D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIP-32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	LG-MAX	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
长度：	42.04 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	5.72 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

NTE27C1001-12D 数据手册

NTE27C1001−10D

NTE27C1001−12D

NTE27C1001−15D

Integrated Circuit

1 Mbit (128Kb x 8) UV EPROM

Description:

The NTE27C1001 is a 1 Mbit EPROM in a 32−Lead DIP type package ideally suited for microproces-

sor systems requiring large programs and is organized as 131,072 by 8 bits. This device has a trans-

parent lid which allows the user to expose the chip to ultraviolet light to erase the bit pattern. A new

pattern can then be written to the device by following the programming procedure.

Features:

D 5V +10% Supply Voltage in Read Operation

D Access Time: 35ns

D Low Power “CMOS” Consumption:

− Active Current 30mA at 5MHz

− Standby Current 100+A

D Programming Voltage: 12.75V +0.25V

D Programming Time: 100+s/Word

Absolute Maximum Ratings: (Note 1)

Supply Voltage, V_CC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +7V

Input or Output Voltage (Except A9, Note 2), V_IO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +7V

A9 Voltage (Note 2), V_A9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +13.5V

Program Supply Voltage, V_PP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +14V

Ambient Operating Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −405 to +1255C

Temperature Under Bias Range, T_BIAS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −505 to +1255C

Storage Temperature Range, T_STG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −655 to +1505C

Note 1. Except for the rating “Operating Temperature Range”, stresses above those listed in the

table “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and operation of the device at these or any other conditions above those

indicated in the Operating sections of this specification is not implied. Exposure to Absolute

Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.

Note 2. Minimum DC voltage on the input or output is −0.5V with possible undershoot to −2.0V for

a period less than 20ns. Maximum DC voltage on output is V_CC+0.5V with possible over-

shoot to V_CC+2V for a period less than 20ns.

Rev. 3−14

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE27C256-15D	NTE	获取价格	UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, DIP-28
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