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NTE27C256-12D

更新时间： 2024-11-02 15:46:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	82K
描述
UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, DIP-28

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NTE27C256-12D 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	LG-MAX
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	37.34 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
座面最大高度：	5.72 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

NTE27C256-12D 数据手册

NTE27C256−12D, NTE27C256−15D,

NTE27C256−15P, NTE27C256−70D

Integrated Circuit

256 Kbit (32Kb x 8) EPROM

Description:

The NTE27C256 is a 256Kbit EPROM in a 28−Lead DIP type package ideally suited for microproces-

sor systems requiring large programs and is organized as 32,768 by 8 bits. The NTE27C256−12D,

NTE27C256−15D, and NTE27C256−70D have a transparent lid which allows the user to expose the

chip to ultraviolet light to erase the bit pattern. A new pattern can then be written to the device by follow-

ing the programming procedure. The NTE27C256−15P is suitable for applications where the content

is programmed only one time and erasure is not required.

Features:

D 5V 10% Supply Voltage in Read Operation

D Access Time: 45ns

D Low Power “CMOS” Consumption:

− Active Current 30mA at 5MHz

− Standby Current 100μA

D Programming Voltage: 12.75V 0.25V

D Programming Time: 100μs/Word

Absolute Maximum Ratings: (Note 1)

Supply Voltage, V_CC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +7V

Input or Output Voltage (Except A9, Note 2), V_IO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +7V

A9 Voltage (Note 2), V_A9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +13.5V

Program Supply Voltage, V_PP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2 to +14V

Ambient Operating Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C

Temperature Under Bias Range, T_BIAS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −50° to +125°C

Storage Temperature Range, T_STG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C

Note 1. Except for the rating “Operating Temperature Range”, stresses above those listed in the

table “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and operation of the device at these or any other conditions above those

indicated in the Operating sections of this specification is not implied. Exposure to Absolute

Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.

Note 2. Minimum DC voltage on the input or output is −0.5V with possible undershoot to −2.0V for

a period less than 20ns. Maximum DC voltage on output is V_CC+0.5V with possible over-

shoot to V_CC+2V for a period less than 20ns.

Rev. 12−12

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE27C256-15D	NTE	获取价格	UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, DIP-28
NTE27C512-12D	NTE	获取价格	UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, DIP-28
NTE28	NTE	获取价格	Germanium PNP Transistor High Current, High Gain Amplifier
NTE280	NTE	获取价格	Silicon Complementary Trasistors Audio Power Amplifier
NTE2800	NTE	获取价格	Memory IC,
NTE280MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-3
NTE281	NTE	获取价格	Silicon Complementary Trasistors Audio Power Amplifier
NTE281MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 150V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-3
NTE281MP	NTE	获取价格	Transistor,
NTE282	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Final RF Power Amp, Switch

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