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NTE28 PDF预览

NTE28

更新时间： 2024-11-02 06:00:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Germanium PNP Transistor High Current, High Gain Amplifier

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NTE28 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MBPM-P2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.68Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-68
JESD-30 代码：O-MBPM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：170 W
最大功率耗散 (Abs)：170 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：0.002 MHzBase Number Matches：1

NTE28 数据手册

 浏览型号NTE28的Datasheet PDF文件第2页 
NTE28  
Germanium PNP Transistor  
High Current, High Gain Amplifier  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Collector−Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Emitter−Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collector Current−Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +110°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +110°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 1A, I = 0, Note 1  
45  
60  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 300mA, V = 0  
−
V
(BR)CES  
C
BE  
Floating Potential  
V
EBF  
V
= 60V, I = 0  
0.5  
15  
0.2  
4.0  
4.0  
15  
V
CB  
CE  
CB  
CB  
BE  
BE  
E
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
= 45V, V  
= 2V, T = +71°C  
−
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
CEX  
BE(off)  
C
I
= 2V, I = 0  
−
CBO  
E
= 60V, I = 0  
−
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 30V, I = 0  
−
EBO  
C
= 30V, I = 0, T = +71°C  
−
C
C
ON Characteristics (Note 1)  
DC Current Gain  
h
I = 15A, V = 2V  
60  
15  
−
−
−
−
−
−
−
180  
−
FE  
C
CE  
I = 60A, V = 2V  
C
CE  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
Base−Emitter Saturation Voltage  
V
I = 15A, I = 1A  
0.15  
0.3  
0.6  
1.0  
V
V
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 60A, I = 6A  
−
C
B
V
I = 15A, I = 1A  
−
BE(sat)  
C
B
I = 60A, I = 6A  
−
C
B
Small−Signal Characteristics  
Common−Emitter Cutoff Frequency  
fαe  
I = 15A, V = 2V  
2
−
−
kHz  
C
CE  
Note 1. To avoid excessive heating of the collector junction, perform test with pulse method.  
12

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