NTE273

更新时间： 2024-11-02 04:00:15

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Darlington Complementary Power Amplifiers

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NTE273 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	4000
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE273 数据手册

NTE272 (NPN) & NTE273 (PNP)

Silicon Darlington Complementary

Power Amplifiers

Description:

The NTE272 (NPN) and NTE273 (PNP) are silicon complementary Power Amplifiers in a TO202 type

case designed for use in complementary amplifiers and driver applications.

Features:

D High DC Current Gain:

h_FE= 25,000 (Min) @ I_C= 200mA

= 15,000 (Min) @ I_C= 500mA

D Collector–Emitter Breakdown Voltage:

V_(BR)CES= 40V @ I_C= 500mA

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage:

V_CE(sat)= 1.5V @ I_C= 1A

D Monolithic Construction for High Reliability

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage (Note 2), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W

Note 1. NTE273 is a discontinued device and no longer available.

Note 2. Due to the monolithic construction of this device, breakdown voltages of both transistor ele-

ments are identical. V_(BR)CESis tested in lieu of V_(BR)CEOin order to avoid errors caused

by noise pickup. The voltage measured during the V_(BR)CEStest is the V_(BR)CEOof the output

transistor.

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