是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-24 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.65 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 450 ns |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Memory ICs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE271 | NTE |
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Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch | |
NTE2716 | NTE |
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Integrated Circuit NMOS, 16K UV Erasable PROM | |
NTE272 | NTE |
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Silicon Darlington Complementary Power Amplifiers | |
NTE273 | NTE |
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Silicon Darlington Complementary Power Amplifiers | |
NTE2732A | NTE |
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Integrated Circuit 32K (4K x 8) NMOS UV Erasable PROM | |
NTE274 | NTE |
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Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier, Switch | |
NTE275 | NTE |
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Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier, Switch | |
NTE276 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|1.2KV V(DRM)|TO-66 | |
NTE2764 | NTE |
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Integrated Circuit NMOS, 64K Erasable EPROM, 200ns | |
NTE278 | NTE |
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Silicon NPN Transistor Broadband RF Amp |