NTE270

更新时间： 2024-11-01 22:30:15

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NTE		晶体开关放大器晶体管达林顿晶体管功率放大器
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2页	28K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch

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NTE270 数据手册

NTE270 (NPN) & NTE271 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amp, Switch

Description:

The NTE270 (NPN) and NTE271 (PNP) are silicon Darlington complementary power transistors in

a TO218 type package designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications.

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 1000 Min @ I_C= 5A, V_CE= 4V

D Collector–Emitter Sustaining Voltage: V_CEO(sus)= 100V Min @ 30mA

D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35.7°C/W

Note 1. Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 30mA, I_B= 0, Note 2

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

100

–

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CBO

I_EBO

V_CE= 50V, I_B= 0

V_CB= 100V, I_E= 0

V_BE= 5V

2.0

1.0

2.0

–

Emitter Cutoff Current

–

Note 2. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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