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NTD4970NT4G

更新时间： 2024-09-17 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 123K
描述
单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，36A，11mΩ

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NTD4970NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.64
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A最大漏极电流 (ID)：8.5 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：24.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：130 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4970NT4G 数据手册

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NTD4970N  
Power MOSFET  
30 V, 36 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• Three Package Variations for Design Flexibility  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I
D
MAX  
(BR)DSS  
DS(ON)  
11 mW @ 10 V  
21 mW @ 4.5 V  
30 V  
Applications  
36 A  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
DSS  
V
V
A
G
V
GS  
20  
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
11.6  
A
S
q
JA  
N−CHANNEL MOSFET  
T = 100°C  
A
8.2  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
2.55  
W
A
D
D
D
4
4
R
q
JA  
4
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
A
8.5  
6.0  
q
JA  
T = 100°C  
A
Steady  
State  
(Note 2)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
2
1
1
T = 25°C  
A
P
I
1.38  
W
A
1
2
3
3
2
R
q
JA  
3
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
36  
25  
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
D
C
q
JC  
T
C
(Note 1)  
Power Dissipation  
T
C
P
24.6  
W
A
R
(Note 1)  
q
JC  
Pulsed Drain  
Current  
t =10ms  
p
T = 25°C  
A
I
DM  
130  
38  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
A
DmaxPkg  
4
Drain  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
−55 to  
+175  
°C  
J
4
4
T
STG  
Drain  
Drain  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
S
22  
6.0  
11  
A
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (T = 25°C, V = 24 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 15 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
2
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
1
2
3
Drain  
1
3
Gate Drain Source  
Gate Source  
1
2
3
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
Gate Drain Source  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
4970N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
June, 2011 − Rev. 0  
NTD4970N/D  
 
1234567

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NTD4970NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4970N-35G ONSEMI

完全替代

 30 V, 36 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4970N-1G ONSEMI

功能相似

 30 V, 36 A, Single N.Channel, DPAK/IPAK

与NTD4970NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		POWER, FET
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 		POWER, FET
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