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NTD4N60

更新时间： 2024-11-06 19:20:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 高压开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
4A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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NTD4N60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19其他特性：HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：2.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：96 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD4N60 数据手册

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NTD4N60  
Preferred Device  
Advance Information  
Power MOSFET  
4 Amps, 600 Volts  
N–Channel DPAK  
http://onsemi.com  
Designed for high voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits.  
4 AMPERES  
600 VOLTS  
Features  
• Higher Current Rating  
R
= 2400 mΩ  
DS(on)  
• Lower R  
DS(on)  
N–Channel  
• Lower Capacitances  
• Lower Total Gate Charge  
D
• Tighter V Specifications  
SD  
• Avalanche Energy Specified  
• Industry Standard DPAK Surface Mount Package  
Typical Applications  
G
4
• Switch Mode Power Supplies  
• PWM Motor Controls  
S
4
• Converters  
• Bridge Circuits  
2
3
1
1
2
3
CASE 369A  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369  
DPAK  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
DSS  
DGR  
600  
600  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
GS  
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
4
V
"20  
"40  
GS  
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
Drain  
p
V
GSM  
Drain – Continuous  
– Continuous @ 100°C  
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
4.0  
3.0  
14  
Adc  
4
D
YWW  
T
4N60  
I
D
Drain  
p
I
DM  
P
YWW  
T
4N60  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
96  
0.77  
1.75  
Watts  
W/°C  
W/°C  
D
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
2
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
stg  
–55 to  
150  
°C  
J
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
Single Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
80  
mJ  
Drain  
Energy – Starting T = 25°C  
J
GS  
(V  
= 100 V, V  
= 10 Vdc,  
= 4 A, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
DD  
4N60  
= Device Code  
= Year  
I
L
G
Y
Thermal Resistance  
– Junction–to–Case  
°C/W  
WW  
T
= Work Week  
= MOSFET  
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
1.30  
100  
71.4  
– Junction–to–Ambient  
– Junction–to–Ambient (Note 1.)  
ORDERING INFORMATION  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
Device  
Package  
Shipping  
NTD4N60  
DPAK  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
DPAK  
Straight Lead  
NTD4N60–1  
NTD4N60T4  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
July, 2001 – Rev. 1  
NTD4N60/D  
1234

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与NTD4N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4N60/D ETC

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 		Power MOSFET 4 Amps， 600 Volts
NTD4N60-1 ONSEMI

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 		4A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
NTD4N60T4 ROCHESTER

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 		4A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
NTD50 EDI

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 		HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD50N03R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTD50N03R-1 ONSEMI

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 		Power MOSFET
NTD50N03R-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET
NTD50N03R-1G ROCHESTER

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 		7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
NTD50N03R-35 ONSEMI

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 		Power MOSFET
NTD50N03R-35G ONSEMI

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 		Power MOSFET

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