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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | 雪崩能效等级（Eas）： | 338 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 55 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTB5605P_05 | ONSEMI |
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Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp |
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| NTB5605PG | ONSEMI |
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Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp |
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| NTB5605PG | ROCHESTER |
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18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
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| NTB5605PT4 | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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| NTB5605PT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp |
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| NTB5605PT4G | ROCHESTER |
获取价格 |
18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
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| NTB5605T4G | ONSEMI |
获取价格 |
18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
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| NTB5860N | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| NTB5860NL | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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| NTB5860NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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