5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTB52N10T4G
NTB52N10T4G PDF预览

NTB52N10T4G

更新时间： 2024-02-14 09:19:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 79K
描述
N-Channel Enhancement−Mode D2PAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTB52N10T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A
最大漏极电流 (ID)：52 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：178 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：156 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB52N10T4G 数据手册

 浏览型号NTB52N10T4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTB52N10T4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTB52N10T4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTB52N10T4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTB52N10T4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTB52N10T4G的Datasheet PDF文件第7页 
NTB52N10  
Power MOSFET  
52 Amps, 100 Volts  
N−Channel Enhancement−Mode D2PAK  
http://onsemi.com  
Features  
• Source−to−DrainDiode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
V
R
DS(ON)  
TYP  
I MAX  
D
DSS  
• Avalanche Energy Specified  
100 V  
30 mW @ 10 V  
52 A  
• I  
and R  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
2
• Mounting Information Provided for the D PAK Package  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
D
Typical Applications  
• PWM Motor Controls  
• Power Supplies  
• Converters  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
4
Drain−to−Source Voltage (R = 1.0 MW)  
V
V
100  
GS  
DGR  
Drain  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
4
V
"20  
"40  
GS  
NTB  
52N10G  
AYWW  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
1
2
3
GSM  
Drain Current  
Adc  
− Continuous @ T = 25°C  
I
52  
40  
156  
A
A
2
D
D PAK  
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
CASE 418B  
STYLE 2  
− Pulsed (Note 1)  
I
1
2
3
DM  
Gate Drain Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
178  
1.43  
2.0  
W
W/°C  
W
A
D
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
NTB52N10 = Device Code  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
J
stg  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
800  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 40 A, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
†
R
R
R
0.7  
62.5  
50  
Device  
Package  
Shipping  
q
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
q
2
NTB52N10  
D PAK  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
2
NTB52N10G  
D PAK  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8in from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
(Pb−Free)  
2
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
NTB52N10T4  
D PAK  
800 / Tape & Reel  
800 / Tape & Reel  
2
NTB52N10T4G  
D PAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle = 2%.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu. Area 0.412 in ).  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 3  
NTB52N10/D  
 
12345678

中文翻译

下载PDF

NTB52N10T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB6412ANT4G ONSEMI

类似代替

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTB6411ANT4G ONSEMI

类似代替

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTB52N10G ONSEMI

类似代替

 N-Channel Enhancement−Mode D2PAK

与NTB52N10T4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB5404N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK & TO−220
NTB5404NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK & TO−220
NTB5405N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK
NTB5405NG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK
NTB5405NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK
NTB5411N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5411NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5412N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5412NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5426N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220

与NTB52N10T4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证