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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB5405NT4G
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NTB5405NT4G

更新时间： 2024-01-01 23:25:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 109K
描述
Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK

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NTB5405NT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：0.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：116 A
最大漏极电流 (ID)：116 A最大漏源导通电阻：0.0058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB5405NT4G 数据手册

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NTB5405N  
Power MOSFET  
40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• These are Pb−Free Devices  
I
D
MAX  
V
R
DS(ON)  
TYP  
(Note 1)  
(BR)DSS  
Applications  
40 V  
4.9 mΩ @ 10 V  
116 A  
• Electronic Brake Systems  
• Electronic Power Steering  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
40  
20  
V
V
A
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T
= 25°C  
116  
82  
C
C
Steady  
State  
S
Current − R  
(Note 1)  
ꢀ
JC  
T
= 100°C  
C
Power Dissipation −  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
150  
W
T
= 25°C  
R
ꢀ
JC  
MARKING  
DIAGRAM  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ꢁ s  
p
I
280  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
175  
°C  
J
T
1
2
Source Current (Body Diode) Pulsed  
I
75  
A
S
3
NTB5405NG  
AYWW  
Single Pulse Drain−to Source Avalanche  
EAS  
800  
mJ  
2
D PAK  
Energy − (V = 50 V, V = 10 V, I = 40 A,  
DD  
GS  
PK  
CASE 418B  
STYLE 2  
L = 1 mH, R = 25 ꢂ)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
1
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NTB5405N = Specific Device Code  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
WW  
= Work Week  
Parameter  
Junction−to−Case (Drain) (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Junction−to−Ambient (Note 3)  
Symbol  
Max  
1.0  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
θ
JC  
R
R
45  
θ
JA  
ORDERING INFORMATION  
62.5  
θ
JA  
Device  
Package  
Shipping†  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
2
NTB5405NG  
D PAK  
50 Units / Rail  
2. When surface mounted to an FR4 board using 1 inch pad size,  
(Pb−Free)  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2
NTB5405NT4G  
D PAK  
800 / Tape & Reel  
3. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
(Pb−Free)  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
November, 2008 − Rev. 2  
NTB5405N/D  
 
1234567

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NTB5405NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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NTP125N02RG ONSEMI

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