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NTB5404NT4G

更新时间： 2024-01-08 20:30:32
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 124K
描述
Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK & TO−220

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NTB5404NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：136 A
最大漏极电流 (ID)：136 A最大漏源导通电阻：0.0045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：258 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB5404NT4G 数据手册

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NTB5404N, NTP5404N  
Power MOSFET  
40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK &  
TO−220  
Features  
• Low R  
http://onsemi.com  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Low Gate Charge  
I
MAX  
D
V
R
TYP  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
• This is a Pb−Free Device  
40 V  
3.5 mΩ @ 10 V  
136 A  
Applications  
D
• Electronic Brake Systems  
• Electronic Power Steering  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
40  
±20  
136  
96  
V
V
A
MARKING  
DIAGRAMS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T
= 25°C  
C
Steady  
State  
Current − R  
(Note 1)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
Power Dissipation −  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
167  
W
NTB5404NG  
AYWW  
T
C
= 25°C  
1
R
ꢀ
JC  
2
3
Pulsed Drain Current  
t = 10 ꢁ s  
I
258  
A
p
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
175  
°C  
J
T
1
4
Source Current (Body Diode) Pulsed  
I
S
75  
A
Single Pulse Drain−to Source Avalanche  
EAS  
1000  
mJ  
Energy − (V = 50 V, V = 10 V, I = 45 A,  
DD  
GS  
PK  
L = 1 mH, R = 25 ꢂ)  
G
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
NTP5404NRG  
AYWW  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1
2
3
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
Parameter  
Junction−to−Case (Drain)  
Symbol  
Max  
Units  
R
0.9  
°C/W  
θ
JC  
WW  
= Work Week  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping†  
2
NTB5404NT4G  
D PAK  
800 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
NTP5404NRG  
TO−220  
50 Units / Rail  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
July, 2010 − Rev. 2  
NTB5404N/D  
 
1234567

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NTB5404NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB5405NT4G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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