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NTB5411NT4G

更新时间： 2024-02-04 00:48:25
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 139K
描述
Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220

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NTB5411NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：166 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：185 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB5411NT4G 数据手册

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NTB5411N, NTP5411N  
Power MOSFET  
80 Amps, 60 Volts  
N-Channel D2PAK, TO-220  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Avalanche Energy Specified  
• These are Pb−Free Devices  
I
MAX  
D
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
60 V  
10 mW @ 10 V  
80 A  
Applications  
• LED Lighting and LED Backlight Drivers  
• DC−DC Converters  
N−Channel  
• DC Motor Drivers  
D
• Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
S
1
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Gate−to−Source Voltage − Nonrepetitive  
V
$20  
$30  
V
GS  
GS  
V
V
4
(T < 10 ms)  
P
4
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
80  
61  
A
C
D
q
JC  
2
T
C
(Note 1)  
3
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
C
P
166  
W
D
R
(Note 1)  
2
q
JC  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
185  
A
DM  
1
2
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
3
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Source Current (Body Diode)  
I
S
75  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
280  
mJ  
4
4
Energy − Starting T = 25°C  
J
Drain  
Drain  
(V = 50 V , V = 10 V , I = 75 A,  
dc L(pk)  
DD  
dc  
GS  
L = 0.1 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
NTB  
5411NG  
AYWW  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
NTP  
5411NG  
AYWW  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
0.9  
43  
Unit  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
(Note 1)  
°C/W  
R
Source  
q
JC  
Source  
R
q
JA  
2
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
(Cu Area 1.127 sq in [1 oz] including traces).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 2  
NTB5411N/D  
 
1234567

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NTB5411NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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