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NTB5426NT4G

更新时间： 2024-01-03 23:25:58
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 114K
描述
Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220

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NTB5426NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SFM包装说明：LEAD FREE, 418B-04, D2PAK-3/2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：6.79Samacsys Description：ON Semiconductor NTB5426NT4G N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK
雪崩能效等级（Eas）：735 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：215 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB5426NT4G 数据手册

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NTB5426N, NTP5426N  
Power MOSFET  
120 Amps, 60 Volts  
N-Channel D2PAK, TO-220  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Avalanche Energy Specified  
• These are Pb−Free Devices  
I
MAX  
D
V
R
MAX  
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(ON)  
60 V  
6.0 mW @ 10 V  
120 A  
Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
G
V
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
$20  
30  
V
GS  
GS  
Gate−to−Source Voltage − Nonrepetitive  
(T < 10 ms)  
P
V
V
4
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
120  
85  
A
C
C
D
4
q
JC  
T
(Note 1)  
C
1
2
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
P
215  
W
D
3
R
q
JC  
(Note 1)  
2
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
260  
A
DM  
CASE 418B  
STYLE 2  
1
2
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
3
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Source Current (Body Diode)  
I
60  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
735  
mJ  
4
4
Energy − Starting T = 25°C  
Drain  
J
Drain  
(V = 50 V , V = 10 V , I  
= 70 A,  
DD  
dc GS  
G
dc L(pk)  
L = 0.3 mH, R = 25 W)  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
260  
°C  
L
5426N  
AYWW  
5426N  
AYWW  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
°C/W  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Junction−to−Case (Drain)  
Steady State (Note 1)  
R
q
JC  
0.7  
Source  
Source  
2
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
(Cu Area 1.127 sq in [1 oz] including traces).  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
November, 2008 − Rev. 0  
NTB5426N/D  
 
1234567

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NTB5426NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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