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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NSVBAS116LT3G
NSVBAS116LT3G PDF预览

NSVBAS116LT3G

更新时间： 2024-09-29 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 124K
描述
75 V Switching Diode

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NSVBAS116LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：5.67配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：3 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

NSVBAS116LT3G 数据手册

 浏览型号NSVBAS116LT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSVBAS116LT3G的Datasheet PDF文件第3页 
BAS116LT1G,  
SBAS116LT1G  
Switching Diode  
Features  
• Low Leakage Current Applications  
• Medium Speed Switching Times  
• Available in 8 mm Tape and Reel  
http://onsemi.com  
Use BAS116LT1 to order the 7 inch/3,000 unit reel  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
3
1
CATHODE  
ANODE  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
3
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Vdc  
SOT−23 (TO−236AB)  
CASE 318  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
V
R
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
STYLE 8  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
FM(surge)  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board (Note 1)  
P
225  
mW  
D
JV M G  
T = 25°C  
A
G
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
JV = Specific Device Code  
Total Device Dissipation  
P
D
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Alumina Substrate (Note 2) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
q
JA  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAS116LT1G  
SOT−23  
3000 / Tape & Reel  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
(Pb−Free)  
BAS116LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
SBAS116LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 8  
BAS116LT1/D  
 
123

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NSVBAS116LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSVBAV23CLT1G ONSEMI

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