是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOT-23, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 43 weeks 1 day | 风险等级: | 5.69 |
应用: | HIGH VOLTAGE | 最小击穿电压: | 200 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.25 V |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
最大非重复峰值正向电流: | 2 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.3 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 0.1 µA | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
反向测试电压: | 150 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVBASH20MX2WT5G | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode Series, +175°C | |
NSVBASH21LT1G | ONSEMI |
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高压开关二极管,+175°C | |
NSVBASH21MX2WT5G | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode Series, +175°C | |
NSVBAT54HT1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes | |
NSVBAT54LT1G | ONSEMI |
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30 V 肖特基二极管 | |
NSVBAT54M3T5G | ONSEMI |
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肖特基势垒二极管 | |
NSVBAT54SWT1G | ONSEMI |
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30 V 肖特基二极管,双,串联 | |
NSVBAT54WT1 | ONSEMI |
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30 V 肖特基二极管 | |
NSVBAT54WT1G | ONSEMI |
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30 V 肖特基二极管 | |
NSVBAV23CLT1G | ONSEMI |
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250 V 双高电压共阴极开关二极管 |