5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NSVBASH19LT1G
NSVBASH19LT1G PDF预览

NSVBASH19LT1G

更新时间： 2023-09-03 20:32:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关高压测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 218K
描述
高压开关二极管，+175°C

阅读下载

中文翻译

获取价格

NSVBASH19LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SOT-23, 3 PINReach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：43 weeks 1 day风险等级：5.68
应用：HIGH VOLTAGE最小击穿电压：120 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.3 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：120 V
最大反向电流：0.1 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
反向测试电压：100 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSVBASH19LT1G 数据手册

 浏览型号NSVBASH19LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSVBASH19LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NSVBASH19LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NSVBASH19LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NSVBASH19LT1G的Datasheet PDF文件第6页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Switching Diode, High  
Voltage, High Temperature  
HIGH VOLTAGE  
SWITCHING DIODE  
SOT−23  
BASH19L Series  
3
1
CATHODE  
ANODE  
Features  
• 175°C T  
− Rated for High Temperature, Mission Critical  
J(MAX)  
Applications  
3
• NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
1
2
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
STYLE 8  
MAXIMUM RATINGS  
MARKING DIAGRAM  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
3
Continuous Reverse Voltage  
V
R
Vdc  
120  
200  
250  
BASH19  
BASH20  
BASH21  
xxx MG  
G
1
2
Repetitive Peak Reverse Voltage  
BASH19  
V
Vdc  
RRM  
120  
200  
250  
AD7  
AC7  
AA7  
M
= BASH19L  
= BASH20L  
= BASH21L  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
BASH20  
BASH21  
Continuous Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
I
F
200  
2
mAdc  
A
G
I
FSM  
(Note: Microdot may be in either location)  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz)  
Repetitive Peak Forward Current  
I
0.6  
A
FRM  
ORDERING INFORMATION  
(Pulse Train: T = 1 s, T  
= 0.5 s)  
ON  
OFF  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to +175  
°C  
J
stg  
Electrostatic Discharge  
ESD  
HM < 500  
MM < 400  
V
V
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 3  
BASH19L/D  
123456

中文翻译

下载PDF

与NSVBASH19LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSVBASH19MX2WT5G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Switching Diode Series, +175°C
NSVBASH20LT1G ONSEMI

获取价格

 		高压开关二极管，+175°C
NSVBASH20MX2WT5G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Switching Diode Series, +175°C
NSVBASH21LT1G ONSEMI

获取价格

 		高压开关二极管，+175°C
NSVBASH21MX2WT5G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Switching Diode Series, +175°C
NSVBAT54HT1G ONSEMI

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes
NSVBAT54LT1G ONSEMI

获取价格

 		30 V 肖特基二极管
NSVBAT54M3T5G ONSEMI

获取价格

 		肖特基势垒二极管
NSVBAT54SWT1G ONSEMI

获取价格

 		30 V 肖特基二极管，双，串联
NSVBAT54WT1 ONSEMI

获取价格

 		30 V 肖特基二极管

与NSVBASH19LT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证