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NSVBAS16W1T1G

更新时间： 2024-09-29 11:15:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 238K
描述
超高速开关二极管 - 采用 SC-88 封装中的三配置

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NSVBAS16W1T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SC-70, SC-88, SOT-363, 6 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74应用：GENERAL PURPOSE
最小击穿电压：100 V配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：3
相数：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.3 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：1 µA最大反向恢复时间：0.003 µs
反向测试电压：100 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

NSVBAS16W1T1G 数据手册

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BAS16W1  
Ultra High Speed  
Switching Diodes  
These Silicon Epitaxial Planar Diodes are designed for use in ultra  
high speed switching applications. These devices are housed in the  
SC−88 package which is designed for low power surface mount  
applications.  
www.onsemi.com  
Features  
• Fast t , < 3.0 ns  
rr  
• Low C , < 2.0 pF  
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
D
SC−88  
CASE 419B  
STYLE 15  
6
5
4
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
100  
100  
200  
300  
1.0  
Unit  
V
V
R
1
2
3
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
V
MARKING DIAGRAM  
Forward Current (Note 1)  
Peak Forward Current (Note 1)  
I
F
mAdc  
mAdc  
Adc  
I
FM  
6
Peak Forward Surge Current (10 ms)  
(Note 1)  
I
FSM  
RV M G  
G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1
1. This is maximum rating for a single diode. In the case of using 2 or 3 diodes,  
the maximum ratings per diodes is 75% of the single diode.  
RV = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Power Dissipation  
Symbol  
Max  
300  
Unit  
mW  
°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
P
D
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
ORDERING INFORMATION  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
†
Device  
Package  
Shipping  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
BAS16W1T1G  
SC−88  
3000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SC−88 3000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
NSVBAS16W1T1G  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2019  
1
Publication Order Number:  
September, 2019 − Rev. 1  
BAS16W1/D  
 
123456

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