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NSVBAS21TMR6T1G

更新时间： 2024-01-16 12:11:01
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安森美 - ONSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
High Voltage Switching Diode

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NSVBAS21TMR6T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-74包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318F-05, SC-74, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.49
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：3
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.311 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs反向测试电压：200 V
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NSVBAS21TMR6T1G 数据手册

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BAS21TMR6  
High Voltage Switching  
Diode  
The BAS21TMR6T1G device houses three high−voltage switching  
diodes in a SC−74 surface mount package. This device is ideal for  
low−power surface mount applications where board space is at a  
premium.  
www.onsemi.com  
Features  
250 V  
HIGH VOLTAGE  
SWITCHING DIODE  
• Reduces Board Space  
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
6
5
4
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
Vdc  
1
2
3
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
4
5
6
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
625  
FM(surge)  
SC−74  
CASE 318F  
3
2
1
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
FR−5 Board (Note 1) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
MARKING DIAGRAM  
311  
2.5  
mW  
mW/°C  
A
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
402  
°C/W  
ꢀ
JA  
RAA MG  
G
Total Device Dissipation  
P
D
347  
2.8  
mW  
mW/°C  
Alumina Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
RAA  
M
= Device Code  
= Date Code*  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
360  
°C/W  
G
= Pb−Free Package  
ꢀ
JA  
(Note: Microdot may be in either location)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
2
1. FR−4 @ 10 mm , 2 oz copper traces  
2
2. FR−4 @ 25 mm , 2 oz copper traces  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAS21TMR6T1G  
SC−74  
3000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
NSVBAS21TMR6T1G  
NSVBAS21TMR6T2G  
SC−74  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
SC−74  
3000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
Publication Order Number:  
1
September, 2015 − Rev. 1  
BAS21TMR6/D  
 
1234

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