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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NSVBAT54LT1G
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NSVBAT54LT1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 快速恢复二极管测试光电二极管整流二极管肖特基二极管
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4页 81K
描述
30 V 肖特基二极管

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NSVBAT54LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.43
应用：FAST RECOVERY最小击穿电压：30 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.8 V
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：2 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：25 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NSVBAT54LT1G 数据手册

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by BAT54LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications,  
circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces  
conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and  
portable applications where space is limited.  
Motorola Preferred Device  
•
•
Extremely Fast Switching Speed  
Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc  
30 VOLTS  
SILICON HOT–CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
F
3
1
CATHODE  
ANODE  
3
1
2
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25°C  
200  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
BAT54LT1 = JV3  
I
200 Max  
125 Max  
mA  
°C  
F
T
J
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
V
Volts  
pF  
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
7.6  
0.5  
10  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
R
—
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
5.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
F
V
F
V
F
—
—
—
—
0.22  
0.41  
0.52  
—
F
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
(I = I = 10 mAdc, I  
t
rr  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
V
—
—
—
—
—
0.29  
0.35  
—
0.32  
0.40  
200  
300  
600  
Vdc  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
F
Forward Current (DC)  
I
F
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Repetitive Peak Forward Current  
I
—
FRM  
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)  
I
—
FSM  
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 4  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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NSVBAT54LT1G 替代型号

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