是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SC-70 | 包装说明: | SC-70, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
Factory Lead Time: | 4 weeks | 风险等级: | 1.48 |
Samacsys Confidence: | 2 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 286371 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | Schottky Diode | Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) |
Samacsys Footprint Name: | SOT-323 (SC-70) CASE 419-04 ISSUE N | Samacsys Released Date: | 2018-02-17 21:55:10 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.24 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.6 A | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.2 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 30 V | 最大反向恢复时间: | 0.005 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAT54SWT1G | ONSEMI |
类似代替 |
Dual Series Schottky Barrier Diodes | |
SBE807-TL-W | ONSEMI |
功能相似 |
Schottky Barrier Diode, 30V, 1A, Low IR, CPH5, 3000-REEL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVBAT54WT1 | ONSEMI |
获取价格 |
30 V 肖特基二极管 | |
NSVBAT54WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
30 V 肖特基二极管 | |
NSVBAV23CLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
250 V 双高电压共阴极开关二极管 | |
NSVBAV70DXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
100 V, 200 mA 4 Small Signal Switching Diodes in dual common cathode configuration | |
NSVBAV70TT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode | |
NSVBAV70TT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode | |
NSVBAV99WT3G | ONSEMI |
获取价格 |
100 V 开关二极管,双,串联 | |
NSVBAWH56WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
70V Common Anode Switching Diode, +175°C | |
NSVBC114EDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN 双极数字晶体管 (BRT) | |
NSVBC114EPDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
互补双极数字晶体管 (BRT) |