是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOT-563, 6 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 1.54 |
其他特性: | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE): | 80 | JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN AND PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | VCEsat-Max: | 0.25 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVBC143ZPDXV6T5G | ONSEMI |
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Complementary Bias Resistor Transistors | |
NSVBC144EDXV6T1G | ONSEMI |
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双 NPN 双极数字晶体管 (BRT) | |
NSVBC144EPDXV6T1G | ONSEMI |
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互补双极数字晶体管 (BRT) | |
NSVBC817-16LT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 | |
NSVBC817-40WT1G | ONSEMI |
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45 V,0.5 A,通用 NPN 晶体管 | |
NSVBC818-40LT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 | |
NSVBC846BM3T5G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 | |
NSVBC847BDW1T2G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
NSVBC847BLT3G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
NSVBC847BTT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 |