5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NSVBC850CLT1G
NSVBC850CLT1G PDF预览

NSVBC850CLT1G

更新时间： 2024-02-22 01:07:38
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
13页 113K
描述
General Purpose Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

NSVBC850CLT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：5.75
Is Samacsys：NJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

NSVBC850CLT1G 数据手册

 浏览型号NSVBC850CLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSVBC850CLT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NSVBC850CLT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NSVBC850CLT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NSVBC850CLT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NSVBC850CLT1G的Datasheet PDF文件第7页 
BC846ALT1G Series  
General Purpose  
Transistors  
NPN Silicon  
Features  
www.onsemi.com  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating − Human Body Model: > 4000 V  
ESD Rating − Machine Model: > 400 V  
COLLECTOR  
3
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
1
BASE  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
2
EMITTER  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
1
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
65  
45  
30  
2
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
80  
50  
30  
MARKING DIAGRAM  
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
6.0  
6.0  
5.0  
XX M G  
G
Collector Current − Continuous  
I
C
100  
mAdc  
1
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
XX = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
(Note: Microdot may be in either location)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
(Note 1)  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
1.8  
mW/°C  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 12 of this data sheet.  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
556  
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
D
300  
mW  
Alumina Substrate (Note 2)  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
417  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1994  
1
Publication Order Number:  
January, 2017 − Rev. 17  
BC846ALT1/D  
 
1234567...13

中文翻译

下载PDF

与NSVBC850CLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSVBC856BM3T5G ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
NSVBC857BLT3G ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
NSVBC857BTT1G ONSEMI

获取价格

 		PNP Bipolar Transistor
NSVBC857CWT1G ONSEMI

获取价格

 		45 V，100 mA，PNP 双极结晶体管
NSVBC858AWT1G ONSEMI

获取价格

 		100 mA, 30V PNP Bipolar Junction Transistor
NSVBC858BLT1G ONSEMI

获取价格

 		PNP Bipolar Transistor
NSVBC858CLT1G ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
NSVBCH807-16L ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
NSVBCH807-25L ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
NSVBCH807-25LT1G ONSEMI

获取价格

 		+175°C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor

与NSVBC850CLT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证