5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G PDF预览

NSVBC856BM3T5G

更新时间： 2023-06-19 14:31:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 56K
描述
PNP 双极晶体管

阅读下载

中文翻译

获取价格

NSVBC856BM3T5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.56Is Samacsys：N
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

NSVBC856BM3T5G 数据手册

 浏览型号NSVBC856BM3T5G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSVBC856BM3T5G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NSVBC856BM3T5G的Datasheet PDF文件第4页 
BC856BM3T5G  
Preferred Devices  
General Purpose Transistor  
PNP Silicon  
This transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. It is housed in the SOT−723 which is designed for low  
power surface mount applications.  
• This is a Pb−Free Device  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
−65  
Unit  
V
1
BASE  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−80  
V
2
EMITTER  
−5.0  
−100  
V
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mA  
MARKING  
DIAGRAM  
3
Symbol  
Max  
Unit  
SOT−723  
CASE 631AA  
STYLE 1  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
(Note 1)  
P
265  
mW  
D
3B M  
2
T = 25°C  
A
1
Derate above 25°C  
2.1  
mW/°C  
°C/W  
3B = Specific Device Code  
= Date Code  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1)  
R
470  
q
JA  
M
Total Device Dissipation  
P
D
640  
mW  
Alumina Substrate (Note 2)  
T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25°C  
5.1  
mW/°C  
°C/W  
†
Device  
BC856BM3T5G  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 2)  
R
195  
q
JA  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 1  
BC856BM3/D  
 
1234

中文翻译

下载PDF

与NSVBC856BM3T5G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSVBC857BLT3G ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
NSVBC857BTT1G ONSEMI

获取价格

 		PNP Bipolar Transistor
NSVBC857CWT1G ONSEMI

获取价格

 		45 V，100 mA，PNP 双极结晶体管
NSVBC858AWT1G ONSEMI

获取价格

 		100 mA, 30V PNP Bipolar Junction Transistor
NSVBC858BLT1G ONSEMI

获取价格

 		PNP Bipolar Transistor
NSVBC858CLT1G ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
NSVBCH807-16L ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
NSVBCH807-25L ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
NSVBCH807-25LT1G ONSEMI

获取价格

 		+175°C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor
NSVBCH807-40L ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors

与NSVBC856BM3T5G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证