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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 7 weeks | 风险等级： | 1.5 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SBC817-16LT3G | ONSEMI |
类似代替  |
NPN 双极晶体管 |
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| BC817-25W-7 | DIODES |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVBC817-40WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
45 V，0.5 A，通用 NPN 晶体管 |
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| NSVBC818-40LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
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| NSVBC846BM3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
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获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| NSVBC847BLT3G | ONSEMI |
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| NSVBC847BTT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 |
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| NSVBC848BWT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 |
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| NSVBC848CDW1T1G | ONSEMI |
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双 NPN 双极晶体管 |
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| NSVBC848CLT1G | ONSEMI |
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