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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVBC847BTT1G
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NSVBC847BTT1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 75K
描述
NPN 双极晶体管

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NSVBC847BTT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.66最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.6 V

NSVBC847BTT1G 数据手册

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BC847ATT1, BC847BTT1,  
BC847CTT1  
General Purpose  
Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SC−75/SOT−416 package which  
is designed for low power surface mount applications.  
COLLECTOR  
3
Features  
1
BASE  
• Pb−Free Packages are Available*  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
45  
Unit  
V
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
3
CASE 463  
SC−75/SOT−41  
50  
V
6.0  
100  
V
2
6
1
STYLE 1  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
xxM  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation,  
FR−4 Board (Note 1)  
P
D
200  
mW  
xx = Device Code  
M = Date Code  
T = 25°C  
A
Derated above 25°C  
1.6  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
600  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Total Device Dissipation,  
FR−4 Board (Note 2)  
P
D
300  
mW  
T = 25°C  
A
Derated above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
400  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1. FR−4 @ min pad.  
2. FR−4 @ 1.0 × 1.0 in pad.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 1  
BC847ATT1/D  
 
123456

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