是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.56 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.64 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVBC847BDW1T2G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors |
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NSVBC847BLT3G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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NSVBC847BTT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 |
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NSVBC848BWT1G | ONSEMI |
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NPN 双极晶体管 |
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NSVBC848CDW1T1G | ONSEMI |
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双 NPN 双极晶体管 |
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NSVBC848CLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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NSVBC849BLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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NSVBC850BLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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NSVBC850CLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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NSVBC856BM3T5G | ONSEMI |
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PNP 双极晶体管 |
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