是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
基于收集器的最大容量: | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压: | 30 V |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
VCEsat-Max: | 0.6 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVBC848CDW1T1G | ONSEMI |
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双 NPN 双极晶体管 | |
NSVBC848CLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
NSVBC849BLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
NSVBC850BLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
NSVBC850CLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
NSVBC856BM3T5G | ONSEMI |
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PNP 双极晶体管 | |
NSVBC857BLT3G | ONSEMI |
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PNP 双极晶体管 | |
NSVBC857BTT1G | ONSEMI |
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PNP Bipolar Transistor | |
NSVBC857CWT1G | ONSEMI |
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45 V,100 mA,PNP 双极结晶体管 | |
NSVBC858AWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
100 mA, 30V PNP Bipolar Junction Transistor |